為什麼 VCSEL 是資料中心短距的主力雷射?
垂直腔體(兩面 DBR 鏡面)讓 VCSEL 能 wafer 級測試、做陣列,配合 850 nm 多模生態成為資料中心短距最划算的雷射。本文拆解結構、製造優勢、主流波長與距離限制。
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垂直腔體(兩面 DBR 鏡面)讓 VCSEL 能 wafer 級測試、做陣列,配合 850 nm 多模生態成為資料中心短距最划算的雷射。本文拆解結構、製造優勢、主流波長與距離限制。
腔體結構決定光譜純度,調製方式決定速率:FPLD 最便宜但多模、DFB 單模穩定是 WDM 基石、EML 同晶片整合高速調製器。三者構成成本×速率階梯,各配不同鏈路。
高功率製造雷射的核心問題:千瓦級功率下如何維持接近繞射極限的光束品質。答案是 MOPA——種子決定光束品質、放大器決定功率,兩者解耦;搭配多級 Yb 摻雜光纖放大、泵浦合束與隔離器,並以一個具體的 JPT 光路驗證。